ကျွန်ုပ်တို့သည် ကွဲပြားသော လျှောက်လွှာလိုအပ်ချက်များကို ပြည့်မီရန် စိတ်ကြိုက်ရွေးချယ်စရာများ အပြည့်အစုံဖြင့် ခုခံအား၊ ဘရိတ်ယူနစ်များ၊ ဓာတ်ပေါင်းဖိုများ၊ ပါဝါစစ်ထုတ်စက်များနှင့် ထရန်စဖော်မာများ အပါအဝင် ပြည့်စုံသောအစုစုကို ပေးဆောင်ထားပါသည်။
DUFEW Non-Inductive Aluminum Clad Resistor ကို မြန်နှုန်းမြင့် လျှပ်စီးပတ်လမ်းများ၊ သွေးခုန်နှုန်း ပါဝါစနစ်များ၊ အင်ဗာတာ အက်ပ်လီကေးရှင်းများနှင့် သမားရိုးကျ ဝိုင်ယာနာ ခုခံမှု ကိရိယာများသည် ကပ်ပါး လျှပ်ကူးပစ္စည်း သက်ရောက်မှု ခံစားရနိုင်သည့် တိကျသော အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများအတွက် အထူး ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။
လျင်မြန်သော လက်ရှိပြောင်းလဲမှုများအတွင်း ထပ်လောင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းတုံ့ပြန်မှုကို ထုတ်ပေးသည့် စံပါဝါ resistor များနှင့်မတူဘဲ၊ DUFEW သည် သံလိုက်စက်ကွင်းချိတ်ဆက်မှုကို လျှော့ချရန်နှင့် အလွန်နိမ့်သော inductance စွမ်းဆောင်ရည်ကိုရရှိရန် အဆင့်မြင့် Ayrton-Perry bifilar အကွေ့အကောက်ပုံစံကို လက်ခံပါသည်။
လက်ရှိတုံ့ပြန်မှုနှင့် ကူးပြောင်းဝင်ရောက်နှောင့်ယှက်မှုကို လျှော့ချခြင်းဖြင့်၊ ဤခုခံမှုစနစ်သည် အရေးကြီးသောပါဝါအစိတ်အပိုင်းများကို ကာကွယ်ရန်၊ လှိုင်းပုံသဏ္ဍာန်တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပြီး ကြိမ်နှုန်းမြင့် အီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များ၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
50W မှ 6KW အထိရရှိနိုင်ပြီး 0.01Ω မှ 120kΩ မှ ခုခံမှုတန်ဖိုးများနှင့်အတူ DUFEW သည် ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်သူများ၊ အင်ဗာတာပေးသွင်းသူများ၊ အလိုအလျောက်ထုတ်လုပ်သည့်ကုမ္ပဏီများနှင့် စက်မှုစက်ပစ္စည်းတည်ဆောက်သူများအတွက် စိတ်ကြိုက်အနိမ့် inductance resistor ဖြေရှင်းချက်များကို ဆောင်ရွက်ပေးပါသည်။
ခေတ်မီပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင်၊ အစိတ်အပိုင်းများသည် လျှပ်စစ်ဆူညံသံနှင့် ဗို့အားအတက်အကျများကို ပိုမိုထိခိုက်နိုင်သော်လည်း အစိတ်အပိုင်းများကို ကူးပြောင်းသည့်ကြိမ်နှုန်းသည် ဆက်လက်တိုးမြင့်လာသည်။
သမားရိုးကျ ခုခံမှုတစ်ခုသည် လျင်မြန်သော လက်ရှိအကူးအပြောင်းများအတွင်း မလိုလားအပ်သော inductance ကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်ပြီး၊
- ဗို့အား လွန်ကဲခြင်း။
- လက်ရှိလှိုင်းပုံသဏ္ဍာန်ပုံပျက်ခြင်း။
- EMI အနှောင့်အယှက်
- Semiconductor စိတ်ဖိစီးမှု
- စနစ်တည်ငြိမ်မှုကိုထိန်းချုပ်
DUFEW Non-Inductive Aluminum Clad Resistor ကို အမြန်ပြောင်းလဲနေသော လက်ရှိအခြေအနေများအောက်တွင် တည်ငြိမ်လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်မှုကို ထိန်းသိမ်းရန် တီထွင်ထုတ်လုပ်ထားပါသည်။
| စွမ်းဆောင်ရည် အင်္ဂါရပ် | အင်ဂျင်နီယာတန်ဖိုး |
|---|---|
| အလွန်နိမ့် inductance အကွေ့အကောက်ဒီဇိုင်း | မြန်နှုန်းမြင့်ပြောင်းနေစဉ်အတွင်း မလိုလားအပ်သော လျှပ်ကူးပစ္စည်းသက်ရောက်မှုများကို လျှော့ချပေးသည်။ |
| Ayrton-Perry bifilar အကွေ့အကောက် | လက်ရှိစီးဆင်းမှုမှထုတ်ပေးသော သံလိုက်စက်ကွင်းများကို ပယ်ဖျက်သည်။ |
| လျင်မြန်သောလျှပ်စစ်တုံ့ပြန်မှု | ယာယီပတ်လမ်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေသည်။ |
| Stable pulse load စွမ်းရည် | ထပ်ခါတလဲလဲ အားသွင်းခြင်းနှင့် အားပြန်သွင်းခြင်း စက်ဝန်းများကို ကိုင်တွယ်ပါ။ |
| လျှပ်စစ်သံလိုက်ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုနည်းပါးခြင်း။ | ထိခိုက်လွယ်သော ဆားကစ်များကို ထိခိုက်စေသော ဆူညံသံများကို လျှော့ချပေးသည်။ |
| အလူမီနီယံအပူစီမံခန့်ခွဲမှုဖွဲ့စည်းပုံ | မြင့်မားသော ပါဝါအခြေအနေများအောက်တွင် ယုံကြည်စိတ်ချရသော လုပ်ဆောင်ချက်ကို ထိန်းသိမ်းပါ။ |
အတွင်းအကွေ့အကောက်များဖွဲ့စည်းပုံသည် သမားရိုးကျ ဝါယာကြိုးဒီဇိုင်းများနှင့် အနိမ့် inductance ခံနိုင်ရည်အား ကွဲပြားစေသည့် အဓိကအချက်ဖြစ်သည်။ DUFEW သည် Ayrton-Perry bifilar အကွေ့အကောက်ဆိုင်ရာ နိယာမကို လက်ခံကျင့်သုံးပြီး လက်ရှိစီးဆင်းနေချိန်တွင် ထုတ်ပေးသော သံလိုက်စက်ကွင်းများကို လျှော့ချရန်အတွက် ဆန့်ကျင်ဘက်လမ်းကြောင်းတွင် ဒဏ်ရာရနေသော ဝါယာကြိုးနှစ်ခုကို အသုံးပြုထားသည်။
အကွေ့အကောက်နှစ်ခု၏ သံလိုက်စက်ကွင်းများကို တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းတစ်ပိုင်းစီ ပယ်ဖျက်ခွင့်ပြုခြင်းဖြင့်၊ ဤဖွဲ့စည်းပုံသည် ပိုက်ကွန်သံလိုက်အတက်အကျကို သိသိသာသာ လျော့နည်းစေပြီး ကပ်ပါးလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို လျှော့ချပေးကာ လျှပ်စစ်တုံ့ပြန်မှုကို ပိုမိုမြန်ဆန်စေပြီး မြန်နှုန်းမြင့် ကူးပြောင်းခြင်းအက်ပ်များတွင် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော ကူးပြောင်းမှုစနစ်များသည် လျင်မြန်သော လက်ရှိပြောင်းလဲမှုများကို ကြုံတွေ့ရလေ့ရှိပြီး ၎င်းမှာ ကပ်ပါးလျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် မလိုလားအပ်သော ဗို့အားများထွက်စေပြီး ဆားကစ်တည်ငြိမ်မှုကို ထိခိုက်စေပါသည်။ DUFEW low-inductance resistors များသည် ယာယီစွမ်းအင်ကို ထိထိရောက်ရောက်ကိုင်တွယ်ရန်၊ ကူးပြောင်းခြင်းအထွတ်အထိပ်များကို ဖိနှိပ်ရန်၊ လှိုင်းပုံသဏ္ဍာန်တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် အထိခိုက်မခံသော semiconductor အစိတ်အပိုင်းများတွင် ဖိစီးမှုကို လျှော့ချရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။
၎င်းတို့အတွက် အထူးသင့်လျော်သည်-
- IGBT အင်ဗာတာ ဆားကစ်များ
- MOSFET ကူးပြောင်းမှုစနစ်များ
- PWM ပါဝါပြောင်းစက်များ
- ကြိမ်နှုန်းမြင့် အီလက်ထရွန်းနစ် ဝန်များ
ပြန်လည်ရှင်သန်နေသော သို့မဟုတ် တက်ကြွသောဘရိတ်လည်ပတ်မှုအတွင်း၊ စနစ်တည်ငြိမ်မှုကိုထိန်းသိမ်းရန် ပိုလျှံနေသောစွမ်းအင်ကို လျင်မြန်စွာထုတ်လွှတ်ရပါမည်။ လျှပ်ကူးပစ္စည်းနည်းသော ဖွဲ့စည်းပုံသည် ဘရိတ်တုံ့ပြန်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီး ကူးပြောင်းခြင်းဆိုင်ရာ အနှောင့်အယှက်များကို လျှော့ချပေးကာ အင်ဗာတာပါဝါ module များကို ယာယီလျှပ်စစ်ဖိစီးမှုမှ ကာကွယ်ပေးသည်။
ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော ပါဝါထောက်ပံ့ရေးစနစ်များတွင် ကပ်ပါးလျှပ်ကူးမှုသည် လှိုင်းပုံသဏ္ဍာန်ပြောင်းခြင်းနှင့် အလုံးစုံစွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိခိုက်စေနိုင်သည်။ DUFEW low-inductance resistors များသည် snubber circuits၊ current limiting circuits နှင့် pulse absorption circuits ကဲ့သို့သော အပလီကေးရှင်းများအတွက် လျင်မြန်သောတုံ့ပြန်မှုလက္ခဏာများကို ပေးပါသည်။
အီလက်ထရွန်းနစ်စမ်းသပ်မှုစနစ်များအတွက်၊ ခုခံမှုအစိတ်အပိုင်းများ၏ တုံ့ပြန်မှုလက္ခဏာများသည် တိုင်းတာခြင်းတိကျမှုကို တိုက်ရိုက်လွှမ်းမိုးပါသည်။ အကောင်းမွန်ဆုံးသော လျှပ်ကူးပစ္စည်းနည်းသော ဒီဇိုင်းသည် ပိုမိုတိကျသော သွေးခုန်နှုန်းတုံ့ပြန်မှုကို ရရှိစေရန်၊ အချက်ပြပုံပျက်ခြင်းကို လျှော့ချရန်နှင့် စမ်းသပ်မှု ထပ်တလဲလဲဖြစ်နိုင်မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေသည်။
| ဖွဲ့စည်းပုံ | လုပ်ဆောင်ချက် |
|---|---|
| အလွိုင်းခုခံဝါယာကြိုး | တည်ငြိမ်သောခံနိုင်ရည်လက္ခဏာများကိုပေးသည်။ |
| Symmetrical bifilar အကွေ့အကောက် | သံလိုက်ချိတ်ဆက်မှုကို လျှော့ချပေးသည်။ |
| Mica insulation အလွှာ | အကွေ့အကောက်အလွှာများကို ခွဲထုတ်ပြီး တည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်စေသည်။ |
| Quartz အပူဖြည့်ပေးခြင်း | အပူကူးယူမှုကို အားကောင်းစေသည်။ |
| အလူမီနီယံအိမ်ရာ | စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ အကာအကွယ်နှင့် အပူဒဏ်ကို စီမံခန့်ခွဲပေးသည်။ |
| ကန့်သတ်ချက် | သတ်မှတ်ချက် |
|---|---|
| ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား | Non-Inductive Aluminum Clad Resistor |
| ပင်မအင်္ဂါရပ် | Inductance စွမ်းဆောင်ရည်နိမ့် |
| အကွေ့အကောက်နည်းပညာ | Ayrton-Perry Bifilar Winding |
| ပါဝါအတိုင်းအတာ | 50W -- 6KW |
| ခုခံမှုအတိုင်းအတာ | 0.01Ω - 120kΩ |
| လည်ပတ်ဗို့အား | ≤1200V |
| Resistance Tolerance | ±3%, ±5%, ±10% |
| Temperature Coefficient | ≤300 ppm/℃ |
| အိမ်ရာပစ္စည်း | အလူမီနီယံ အလွိုင်း |
| လျှပ်ကာပစ္စည်း | High Temperature Flame Retardant Compound |
| Dielectric Strength | 2500VAC/60s |
| လျှပ်ကာ ခုခံမှု | ≥100MΩ |
| စံ | GB-5792 |
| နှိုင်းယှဉ်ချက် | DUFEW Non-Inductive Aluminum Clad Resistor | သမားရိုးကျ Wirewound Resistor |
|---|---|---|
| လက်ရှိတုံ့ပြန်မှု | လက်ရှိပြောင်းလဲမှုများအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ | Parasitic inductance ဖြင့်ကန့်သတ်ထားသည်။ |
| သံလိုက်အကျိုးသက်ရောက်မှု | ဆန့်ကျင်ဘက်သံလိုက်စက်ကွင်းများ တစ်ခုနှင့်တစ်ခု ဖျက်ပစ်သည်။ | သံလိုက်စက်ကွင်းများ စုပုံလာသည်။ |
| စွမ်းဆောင်ရည်ပြောင်းခြင်း။ | ကြိမ်နှုန်းမြင့် ဆားကစ်များအတွက် သင့်လျော်သည်။ | ကြိမ်နှုန်းနိမ့် အက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် အဓိက သင့်လျော်သည်။ |
| EMI ထိန်းချုပ်မှု | လျှပ်စစ်သံလိုက်ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုအန္တရာယ်ကိုလျှော့ချ | ပိုမိုမြင့်မားသောဆူညံသံမျိုးဆက် |
| တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကာကွယ်ရေး | ဗို့အားတိုးခြင်းကို လျှော့ချပေးသည်။ | ယာယီစိတ်ဖိစီးမှုကို တိုးစေနိုင်သည်။ |
| စက်မှု | ပုံမှန်အသုံးပြုမှု |
|---|---|
| ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ် | ကြိမ်နှုန်းမြင့် စွမ်းအင်စုပ်ယူမှု |
| EV အားသွင်းစနစ်များ | အကာအကွယ်ဆားကစ်များကိုပြောင်းခြင်း။ |
| ဆိုလာ အင်ဗာတာများ | DC စွမ်းအင်ထုတ်လွှတ်မှု |
| လေအားလျှပ်စစ်စနစ်များ | Converter အကာအကွယ် |
| ဆာဗိုဒရိုက်များ | ဒိုင်းနမစ်ဘရိတ်ဖမ်း |
| စက်မှုအလိုအလျောက်စနစ် | မြန်နှုန်းမြင့် ထိန်းချုပ်မှုစနစ်များ |
| ဓာတ်ခွဲခန်းသုံးပစ္စည်း | တိကျသောသွေးခုန်နှုန်းစမ်းသပ်ခြင်း။ |
DUFEW သည် အပလီကေးရှင်းလိုအပ်ချက်များနှင့်အညီ စိတ်ကြိုက်မဟုတ်သော inductive resistor ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
ရရှိနိုင်သော စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ခြင်း-
| စိတ်ကြိုက်ပစ္စည်း | ရွေးချယ်မှုများ |
|---|---|
| ခုခံမှုတန်ဖိုး | 0.01Ω-120kΩ |
| ပါဝါအဆင့်သတ်မှတ်ခြင်း။ | 50W-6KW |
| Inductance လိုအပ်ချက် | Low-inductance စိတ်ကြိုက်ဒီဇိုင်း |
| အတိုင်းအတာများ | အဆင့်မီ သို့မဟုတ် အထူးအိမ်ရာ |
| Terminals များ | Stainless terminals သို့မဟုတ် အပူချိန်မြင့်သော ဝါယာကြိုးများ |
| လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ | ပတ်လမ်းလိုအပ်ချက်အရ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ထားသည်။ |
အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် လျင်မြန်သော ပြောင်းလဲမှုများသည် သမားရိုးကျ resistors များတွင် parasitic inductance ကိုထုတ်ပေးနိုင်ပြီး voltage spikes နှင့် electronic noise ကို ဖြစ်စေပါသည်။ inductive မဟုတ်သော resistive များသည် ဤသက်ရောက်မှုများကို လျှော့ချပေးပြီး circuit တည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်စေသည်။
အဓိကကွာခြားချက်မှာ အတွင်းပိုင်းအကွေ့အကောက်နည်းပညာဖြစ်သည်။ DUFEW သည် သံလိုက်စက်ကွင်း အပြန်အလှန်တုံ့ပြန်မှုကို လျှော့ချရန် Ayrton-Perry bifilar အကွေ့အကောက်များကို အသုံးပြုထားပြီး Standard resistors များသည် ပုံမှန်အားဖြင့် single-direction winding ကို အသုံးပြုကြသည်။
ဟုတ်ကဲ့။ ၎င်းတို့ကို အင်ဗာတာ ဘရိတ်ပတ်စ်များ၊ သွေးခုန်နှုန်း စုပ်ယူမှု ဆားကစ်များနှင့် လျင်မြန်စွာ တုံ့ပြန်မှု လိုအပ်သော ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ် စနစ်များတွင် အသုံးများသည်။
ဟုတ်ကဲ့။ DUFEW သည် ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုး၊ ပါဝါအဆင့်သတ်မှတ်ချက်၊ စက်အတိုင်းအတာ၊ စက်ကိရိယာများနှင့် လျှပ်ကူးပစ္စည်းနည်းသော လိုအပ်ချက်များအတွက် OEM စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်မှုကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
လိပ်စာ
အမှတ် ၃၆၄၊ Kangyang လမ်း၊ Huangdai မြို့၊ Xiangcheng ခရိုင်၊ Suzhou City၊ Jiangsu ပြည်နယ်၊ China
Tel
အီးမေး
